一种晶圆再生中的边缘倒角工艺方法

本申请属于半导体制造领域，具体涉及一种晶圆再生中的边缘倒角工艺方法。本发明针对现有晶圆再生工艺中边缘倒角处理存在的角度控制精度差、表面质量不稳定等问题，提供了一种优化的边缘倒角工艺方法。该方法包括对再生晶圆边缘进行精确的磨削和抛光处理，通过控制倒角角度和表面粗糙度，优化边缘轮廓。本申请通过采用上述技术方案，能够实现再生晶圆边缘的高精度处理，显著提升边缘质量一致性，减少后续工艺中的颗粒污染和应力集中问题，有效提高再生晶圆的可靠性和良品率。