半导体结构及其制备方法

本公开提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括提供具有浅沟槽的基底；执行第一沉积工艺形成第一隔离层，第一隔离层填充浅沟槽的部分深度；执行第二沉积工艺形成第二隔离层，第二隔离层设置于第一隔离层的顶面，第二隔离层和第一隔离层构成隔离层，第二隔离层的硬度大于第一隔离层的硬度；部分隔离层的一部分，隔离层的未去除的部分用作浅沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构的顶面与基底的顶面平齐。本公开能够提高半导体结构的良率。