用于半导体装置中的导电层的阻挡结构及其制造方法

本申请涉及用于半导体装置中的导电层的阻挡结构及其制造方法。本文公开了一种半导体装置及其制造方法。所述装置(200)包含设置在衬底(202)上方的第一半导体区(232)，并且所述第一半导体区具有第一导电类型。所述装置进一步包含第二半导体区(220)，所述第二半导体区设置在所述衬底上方并且具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。所述装置进一步包含隔离结构(208)，所述隔离结构设置在所述衬底上方，邻接所述第二半导体区。所述装置进一步包含阻挡结构(244)，所述阻挡结构跨越所述第二半导体区的第一部分和所述隔离结构的一部分。所述装置进一步包含导电层(252b)，所述导电层设置在所述第二半导体区的第二部分上方并且邻接所述阻挡结构。