検索に戻る
案件記録

碳-硅/碳复合材料及其制备方法

発明不明
13請求項 · 5 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

金度兴; 全孝镇; 蔡洙宗; 李珍洙; 朴成修; 尹起灿; 高旻成

出願日

Dec 18, 2024

公開日

Oct 20, 2026

IPC分類

C01B 32/05 (2006.01)C01B 33/113 (2006.01)C01B 32/33 (2006.01)C01B 32/36 (2006.01)C01B 33/12 (2006.01)H01M 4/38 (2006.01)H01M 4/36 (2006.01)H01M 4/587 (2006.01)H01M 4/02 (2006.01)

本发明涉及一种碳‑硅/碳复合材料及其制备方法,其中硅/碳复合基质形成在具有受控孔特性的多孔碳载体的表面上和孔内。当根据本发明实施方式的碳‑硅/碳复合材料用作负极活性材料时,能够抑制整体硅尺寸,并且能够抑制晶体‑LiSi(例如LiSi或LiSi)的形成,从而缓解重复充放电过程中电池性能劣化,其中,晶体‑LiSi是导致电池性能劣化的中间相。

ログインして全文を読む

請求項 1 を表示しています。無料登録で全 13 項の請求項、明細書全文、全図面、翻訳、法的状態を閲覧できます。

  • 全請求項
  • 技術分野
  • 背景技術
  • 発明の概要
  • 図面の説明
  • 発明を実施するための形態

外部リソース