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案件記録

光半导体元件及光半导体元件的制造方法

発明不明
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7請求項 · 2 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

西泽叶; 清田和明

出願日

Dec 11, 2025

公開日

Oct 20, 2026

IPC分類

H01S 5/026 (2006.01)H01S 5/227 (2006.01)H01S 5/343 (2006.01)

光半导体元件具备埋入层,该埋入层设置于发光部的第一台面构造与受光部的第二台面构造之间,以及设置于在第三方向上分别与第一台面构造及第二台面构造相邻的位置及在其相反方向上分别与第一台面构造及第二台面构造相邻的位置这两方,关于第二台面构造的与介于第二台面构造和发光部之间的埋入层之间的界面,在从发光部输出的光的受光范围内,具有与第一方向交叉的截面中的切断线相对于第二方向以规定角度倾斜的倾斜部位,第一方向是晶体取向[100]方向,第二方向是晶体取向[0‑11]方向或晶体取向[01‑1]方向,第三方向是晶体取向[0‑1‑1]方向或晶体取向[011]方向,锐角的规定角度的绝对值是35°±30°。

外部リソース