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案件記録

二硅化钼系陶瓷发热体、陶瓷的制造方法以及二硅化钼系陶瓷发热体的制造方法

発明不明
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8請求項 · 3 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

冈田悠希; 成田里安

出願日

Dec 11, 2024

公開日

Oct 20, 2026

IPC分類

H05B 3/14 (2006.01)C04B 35/58 (2006.01)

一种二硅化钼系陶瓷发热体,其中,所述二硅化钼系陶瓷发热体具有:母材,含有(MoW)Si(x满足0.30≤x<0.40);以及氧化皮膜,覆盖所述母材的表面而形成,含有SiO和Al,Al含量为200质量ppm以上,W含量为30质量%~37质量%。

外部リソース