一种低银活性焊料及其制备方法

本发明公开了一种低银活性焊料，属于电子封装焊接材料技术领域。本发明提供的低银活性焊料由以下质量百分比的组分组成：Ag 5wt%~15wt%，活性元素2wt%~8wt%，改性元素1wt%~7wt%，余量为铜及不可避免的杂质，其中杂质含量≤0.5wt%。所述活性元素优选为Ti与Zr的组合，Ti 1wt%~5wt%、Zr 1wt%~3wt%；所述改性元素优选为Sn与Ni的组合，Sn 0.5wt%~4wt%、Ni 0.5wt%~3wt%。本发明通过低银配方大幅降低生产成本；采用Ti与Zr组合作为活性元素，解决低银体系活性不足、润湿性差的问题；引入Sn与Ni组合改性，调控焊料熔点以适配现有AMB基板真空钎焊工艺，可广泛应用于AMB覆铜陶瓷基板及功率半导体模块封装，兼具成本优势和优异可靠性。