一种电子级氯硅烷精制与密闭安全充装工艺

本发明公开了一种电子级氯硅烷精制与密闭安全充装工艺，涉及高纯电子材料制备领域，本发明针对电子级三氯氢硅精制过程中痕量硼、磷杂质难以深度脱除的问题，采用精馏预分离、侧线抽出、低温固定床吸附与变温再生相耦合的集成工艺，通过精馏与吸附的负荷分配协同以及低温吸附与高温再生的热循环协同，能够显著延长吸附剂的使用寿命，有效降低精馏操作的能耗与设备投资，使其实现硼、磷杂质的高效深度脱除，产品纯度满足先进半导体制程对电子级多晶硅前驱体的严苛要求，全过程采用密闭惰气保护，具有良好的工业应用前景。