一种钛硅分子筛/间位芳纶复合薄膜电介质材料及其制备方法和应用

本发明公开了一种钛硅分子筛/间位芳纶复合薄膜电介质材料及其制备方法和应用，属于聚合物复合电介质储能薄膜制备技术领域。其制备方法包括：将PMIA短切纤维溶于含LiCl的极性溶剂，加入TS‑1分散，刮涂成膜，经水浸、热压退火制得。利用TS‑1表面钛羟基与PMIA酰胺基团形成强氢键构建物理交联网络，提升界面相容性与高温结构稳定性；同时界面能带失配形成高界面能垒，抑制电荷注入与输运，二者协同显著抑制高温漏电流，提升击穿强度与储能密度。本发明无需化学改性，工艺简单、成本低廉，与现有产线高度兼容，在高温薄膜电容器领域应用前景广阔。