稀土改性塑封料及光纤式原位测温功率半导体器件

本发明属于功率半导体器件技术领域，具体涉及一种稀土改性塑封料及光纤式原位测温功率半导体器件。本发明的稀土改性塑封料通过添加少量稀土荧光材料，保持了原有环氧塑封料的绝缘性能与力学性能，不会额外占用封装空间；荧光传感层直接设置在芯片表面，能够精准反映芯片工作时的真实结温，搭配外露的光纤输出光信号，可实现不破坏封装结构的非接触式原位测温，不存在高压工况下的绝缘风险。本发明无需改动原有功率半导体器件的核心封装结构，仅增加荧光传感层与光纤预埋工序，与现有封装产线兼容性好，改造成本低；同时，基于稀土荧光材料的温度响应特性，测温精度高，不会出现长期使用参数漂移的问题，能够为功率半导体器件的运行状态监测、可靠性评估提供准确的实时温度数据，有效提升器件运行的安全性与稳定性。