匀流装置以及反应炉

本申请提供了一种匀流装置以及反应炉，涉及半导体加工领域，解决了传统的匀流板匀流效果较差的技术问题。该匀流装置包括：多层环形的匀流件，多层匀流件依次嵌套，且设置于炉体内，每层匀流件环绕炉体的轴线设置，最内层的匀流件内具有工艺空间，工艺空间被配置为容纳产品，匀流件具有多个匀流孔，炉体具有进气口，工艺气体能够依次通过进气口和多层匀流件的匀流孔进入工艺空间，以对产品进行镀膜。通过设置多层环形匀流件，使从进气口进入的工艺气体沿炉体的径向运动时能够经历多次匀流，每次匀流都可以对工艺气体的分布、流速或者压力进行调节，使工艺气体在周向和径向上的密度、流速、压力分布更加均匀，提高镀膜质量。