一种亚稳态氦原子全息光刻装置及成像方法和应用

本发明提供一种亚稳态氦原子全息光刻装置及成像方法和应用，沿氦原子束的传输路径，包括：基态氦束发生组件、电子激发枪、准直光阑和全息掩膜版，该全息掩膜版包括全息掩膜层和支撑层，支撑层的厚度调控全息掩膜层与光刻样品之间的工作距离，且在对应成像区域的位置开设有通孔；全息掩膜层具有由纳米孔阵列构成的预设图案，通过对亚稳态氦原子束的振幅和相位调制，在所述光刻样品的表面形成亚稳态氦原子的全息衍射强度分布，实现亚纳米级分辨率的图案化刻蚀。本发明能实现高精度、高灵活性，且成像距离短的全息光刻，显著提高了光刻效率和实用性，极限分辨率优于传统EUV光刻。