电磁屏蔽材料及其制备方法

本申请提供一种电磁屏蔽材料及其制备方法，涉及电磁屏蔽材料技术领域。所述电磁屏蔽材料包括以下摩尔百分比的组分：16%~99.5%的n型半导体金属氧化物、0.5%~2%的稀土材料。其中，n型半导体金属氧化物本质上是金属般的导体，将稀土材料掺杂到n型半导体金属氧化物中，可降低n型半导体金属氧化物的晶格散射，增加了自由载流子浓度，从而大幅降低方阻，方阻越低，屏蔽效能的线性反射部分就越高，即在同样的厚度下，掺杂系统材料后的n型半导体金属氧化物能够挡住更强的电磁波。因此本申请的电磁屏蔽材料具备更强的电磁屏蔽效能。