一种高氢制程下的腔壁稳定化方法及半导体设备

本申请公开了一种高氢制程下的腔壁稳定化方法及半导体设备，包括：提供工作侧表面具有阳极氧化铝层的内衬件；对阳极氧化铝层的表面进行封孔和脱灰处理；将内衬件安装在腔体的内壁上，并对阳极氧化铝层的表面进行活化处理；向腔体中通入载气鼓泡携带的六甲基二硅氧烷，以及过量的氧气，在阳极氧化铝层的表面上反应形成具有非化学计量比的第一氧化硅层；向腔体中通入氮气，对第一氧化硅层进行稳定化处理；向腔体中通入氢气与氮气的混合气体，以执行高氢制程。本申请能显著降低高氢制程中氢自由基对腔壁造成的刻蚀损伤，减少颗粒脱落，实现高氢制程下的腔壁稳定化，确保了工艺结果的稳定。