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案件記録

半导体激光器腔面损伤阈值提升方法及半导体激光器

発明不明
10請求項 · 2 独立
§ Ⅰ

案件概要

発明者

王飞虎; 王新越; 范玉龙

出願日

Sep 20, 2026

公開日

Oct 27, 2026

IPC分類

H01S 5/20 (2006.01)H01S 5/22 (2006.01)

本发明公开了一种半导体激光器腔面损伤阈值提升方法及半导体激光器,所述半导体激光器腔面损伤阈值提升方法应用于直波导、端发射、电泵浦型半导体激光器。该方法在激光器发射端面一侧设置渐变波导段,渐变波导段与直波导段的光传播方向末端相连,其宽度沿光传播方向从与直波导段等宽逐渐展宽至更大的出射端面宽度;在渐变波导段与直波导段之间刻蚀电隔离凹槽,凹槽深度达到半导体激光器的包层;同时将电流注入区域限制在直波导段内,使渐变波导段无电流直接注入。该方法可显著减少腔面区域由于光学吸收而产生的热量密度和由于电流扩散而产生的热量,显著提升腔面光学损伤阈值,有效解决腔面过热导致的材料烧蚀和器件永久性损坏问题。

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