一种基于离子注入还原的氧化镓PIN二极管及制备方法

本发明提供一种基于离子注入还原的氧化镓PIN二极管及制备方法，涉及氧化镓器件技术领域。本发明能够通过将重掺杂n型氧化镓衬底作为N层，在重掺杂n型氧化镓衬底上制备I层，在I层上进行p型离子注入，并利用还原性气体高温退火激活注入离子实现p型掺杂，得到P层。还原性气体通过还原反应将氧化镓内的氧原子析出，使注入的p型离子占据氧的晶格格点，并夺取镓原子的电子，形成空穴，实现p型离子注入掺杂，降低p型掺杂氧化镓制备难度。再制备阴极电极、阳极电极，降低氧化镓PIN二极管的制备难度。