HEMT器件及其制备方法

本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，该HEMT器件的制备方法包括以下步骤：提供一包括叠层结构、帽层、源极及漏极的半导体结构，叠层结构包括依次层叠的沟道层及势垒层，帽层位于势垒层上表面，源极与漏极分别与叠层结构电连接且位于帽层相对两侧的预设距离处；对帽层上表面的预设区域进行预处理以形成覆盖预设区域的表面加固层；形成贯穿表面加固层且底面位于帽层中的凹槽；形成位于表面加固层的上表面且填充凹槽的栅极。本发明通过于帽层上表面的预设区域形成表面加固层并形成贯穿表面加固层且底面位于帽层中的凹槽，并使栅极与表面加固层和凹槽底面的帽层分别形成肖特基接触和欧姆接触，降低了栅极漏极，保证了器件的阈值的稳定。