半导体结构及其制备方法

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体结构及其制备方法，该制备方法包括：在半导体衬底的表面沉积半导体牺牲层，所述半导体牺牲层中空位的形成能低于所述半导体衬底中空位的形成能；对所述半导体衬底进行预非晶化注入，以在所述半导体衬底中形成非晶区；对所述半导体衬底进行第一退火；去除所述半导体牺牲层。在第一退火过程中非晶区中的部分空位由半导体衬底向形成能更低的半导体牺牲层迁移，迁移至半导体牺牲层中的空位随着半导体牺牲层的去除而脱离半导体衬底，从而减少半导体衬底中空位的总量，进而降低空位团聚形成空洞、位错等晶体结构缺陷的风险，提高器件的性能和良率。