像素单元及制备方法、像素阵列、图像传感器及芯片

本申请提供了一种像素单元及制备方法、像素阵列、图像传感器及芯片，涉及半导体技术领域。方法包括：提供基底；基底包括吸收区；吸收区用于感应光信号产生光生电子；在基底中，形成位于吸收区上的至少一层第一插入层；其中，至少一层第一插入层间隔设置；在每层第一插入层中形成传输区，以及在传输区上形成补偿区；在基底中，形成位于每层第一插入层上的存储层；其中，存储层形成在所述补偿区的两侧，补偿区与存储区的导电类型相同，传输区用于将吸收区产生的光生电子传输至对应存储层进行存储，补偿区用于调节两侧存储层内的横向电势分布。本申请能够提供一种能够实现高满阱容量以及高成像质量的图像传感器。