一种新型红光LED外延结构及其制备方法

本发明提供一种新型红光LED外延结构及其制备方法，包括外延层，外延层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述P型半导体层沿背离所述有源层的方向依次包括P型AlInP限制层、P型DBR层和P型GaP窗口层，P型DBR层为分布式布拉格反射层。制备方法包括以下步骤：S1，生成所述外延层，并在所述P型GaP窗口层背离P型DBR层一侧形成有临时衬底；S2，激光扫描临时衬底，以去除临时衬底，P型DBR层用于激光在扫描时反射激光。能够降低对有源层的损伤，保证器件的发光效率和可靠性。