改善蚀刻均匀性的静电吸附盘

本申请提供一种改善蚀刻均匀性的静电吸附盘，包括表层、中间层和基座，中间层具有两个独立温控区，即中心区和边缘区，其中，中心区为中央圆形区域，对应晶圆中心部分，边缘区为外围环形区域，对应晶圆外围边缘区域。使原本无法支持中心/边缘单独控制温度的静电吸附盘变更为可以支持中心/边缘单独控制温度，在腔体高时数时通过调整边缘温度来补偿聚焦环边缘变薄导致的晶圆面内蚀刻均匀性变差的问题。