数字隔离器膜层结构及其制作方法

本发明公开了一种数字隔离器膜层结构及其制作方法，所述数字隔离器膜层结构，包括自下而上依次设置的UTM Cu层、SION层、SIN层，还包括：聚合物缓冲分散层，其形成在SIN层的顶部，其用于减少聚合物聚集，避免SIN层直接接触刻蚀环境与铜层，阻止螯合物CuxNyFz的生成。本发明在SIN层顶部增设聚合物缓冲分散层，刻蚀时先刻蚀聚合物缓冲分散层，聚合物缓冲分散层可缓冲并分散SIN层刻蚀过程中产生的聚合物，减少聚合物聚集；同时避免SIN层直接接触刻蚀环境与铜层，阻止螯合物CuxNyFz的生成，无需额外湿法清洗即可避免缺陷产生。