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案件記録
一种芯片级全固态单向热整流散热架构及其制备方法
発明不明
9請求項 · 2 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
杨冰漪; 杨水祥; 张国栋; 王丽丽; 赵楠楠
出願日
Jul 30, 2026
公開日
Oct 27, 2026
IPC分類
H10W 40/28 (2026.01)H10W 40/20 (2026.01)H10W 40/73 (2026.01)H10W 40/25 (2026.01)H10W 40/00 (2026.01)
本发明公开了一种芯片级全固态单向热整流散热架构及其制备方法,属于超高功率芯片固态热管理领域。所述散热架构包括沿芯片发热面垂直方向依次层叠并原子级直接面接触的三级功能层:热电主动泵热层、各向异性相变储热层和超高导热均热层;三级功能层之间通过原子级直接面接触实现极限界面热阻控制。本发明通过在芯片上表面垂直构建包含热电主动泵热层、各向异性相变储热层和超高导热均热层的三级全固态功能层,能够实现热量自芯片向上单向有序输运,从根本上消除传统双面并联散热架构中热量双向回流损耗问题。
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