一种晶圆级封装结构及制备方法

本发明提供了一种晶圆级封装结构及制备方法，可解决传统封装散热效率低、电磁串扰显著、寄生参数偏高、晶圆翘曲明显、量产良率不足的问题，实现高集成度、优异散热性能与晶圆级量产能力的兼顾。其包括：高导热铜板层；大功率芯片组，其包括有至少一片大功率芯片；硅基封装层，其包括硅晶圆、硅凹槽、厚胶层、TSV硅通孔及TSV导电互联柱；第一重布线层；以及N组上层封装单元，N为大于等于1的自然数，N组相邻的上层封装单元高度方向层叠布置，且每个上层封装单元均包括有塑封层、至少一片小功率芯片以及重布线层，位于顶层的上层封装单元的重布线层为顶层重布线层，所述顶层重布线层上设置有若干锡球。