検索
AIツール
分析
リソース
料金プラン
ja
ログイン
無料で始める
検索に戻る
№ KR1029065000000B1
案件記録
에피택셜 결함들에 대해 감소된 성장 핵들을 갖는 실리콘 기판을 형성하기 위한 방법들 및 에피택셜 웨이퍼를 형성하기 위한 방법들
保存
発明
patent.status.granted
1
閲覧数
§ Ⅰ
案件概要
出願人
特許出願人の記録
発明者
발코쩨나, 피에트로; 포리니, 마리아; 두치니, 자누스치아
出願日
Dec 29, 2020
公開日
Dec 31, 2025
IPC分類
C30B 15/20
C30B 25/20
C30B 29/6
CPC分類
C30B15/203
C30B25/20
C30B29/6
外部リソース
Google Patents
Espacenet