用于EBSD的电子元器件镶嵌样FIB制样方法
本申请涉及EBSD制样技术领域,公开了用于EBSD的电子元器件镶嵌样FIB制样方法,包括:S1、按照预设要求对样品进行切片处理,采用冷镶嵌的方式对切片处理后的样品进行镶嵌处理,获得镶嵌样品;S2、采用逐级研磨抛光策略对镶嵌样品进行处理;S3、对镶嵌样品进行氩离子束研磨处理;S4、对镶嵌样品进行喷金镀膜处理,完成后将镶嵌样品放入双束电镜中;S5、通过双束电镜对镶嵌样品的EBSD表征区域进行FIB抛光,对表征区域进行EBSD表征。本发明通过制样的整体流程,能够显著降低漂移与荷电影响,提高采集稳定性与一次成功率,实现高复现性与批量一致性,同时缩短制程周期;提高了整体的加工和表征效率。