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색인된 특허 기록 1건

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测量双组分化合物晶片中缺陷的方法及其装置

本实施方式涉及用于测量双组分化合物晶片中缺陷的方法及其装置，该方法能够使用高度精确的定量测量方法来检测双组分化合物晶片中的P‑Count ScN缺陷。根据实施方式的一个方面，提供了用于测量双组分化合物晶片中缺陷的方法，并且该方法包括：第一步骤，测量由基质A元素和基质B元素组成的晶片中基质A元素和基质B元素的含量；以及第二步骤，计算在第一步骤中测量的基质A元素和基质B元素的比，以确定P‑Count ScN缺陷水平。

❖爱思开矽得荣株式会社李洹准; 沈燮; 李愚星Oct 16, 2026§ 2/15 청구항G01N 23/2273 (2018.01), G01Q 30/02 (2010.01)23