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本公开涉及一种NAND存储器的编程起始电压的控制方法、NAND存储器及车辆。NAND存储器具有多个采样存储单元，该方法包括：获取每个采样存储单元的第一编程阈值电压；根据每个采样存储单元的第一编程阈值电压，确定中值阈值电压；在中值阈值电压与参考阈值电压之间的偏移量满足预设条件时，基于NAND存储器当前的编程起始电压，对每个采样存储单元进行编程操作，获取每个采样存储单元达到编程状态时对应的第一编程电压；基于每个采样存储单元对应的第一编程电压，更新NAND存储器的编程起始电压；预设条件包括偏移量大于第一预设阈值；记录NAND存储器的编程操作次数；基于编程操作次数调整第一预设阈值；其中，第一预设阈值与编程操作次数负相关。