长江存储控股股份有限公司

本申请实施例提供一种半导体器件及其控制方法、存算装置、存储系统。半导体器件中存储单元阵列包括多个存储串；多个存储串中的至少一个存储串包括连接的多个第一存储单元和多个第二存储单元。多个第二存储单元耦接的字线包括第一部分以及第二部分。外围电路被配置为：对多个第一存储单元执行编程操作后，对与多个第一存储单元中的一个第一存储单元耦接的字线施加第一读取电压，对第一部分字线施加第一通过电压，对第二部分字线施加第二通过电压；第二通过电压与所述第一通过电压不同。获取存储串的一端耦接的信号线上的电流以及存储串上的电流在目标电流范围内。

本公开提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器系统，该半导体结构包括：堆叠结构，包括交替堆叠设置的栅极结构和第一介质层；沟道结构，沿第一方向贯穿堆叠结构；沟道结构包括沿第二方向依次设置的沟道层、隧穿层、存储层、功能层和阻挡层；其中，第二方向与第一方向相交。