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具有扇出上扇入的晶片级封装和堆叠的半导体器件及其制造方法。半导体封装层具有第一半导体管芯。密封剂被沉积在第一半导体管芯上方。扇出互连结构被形成在第一半导体管芯和密封剂上方。第二半导体管芯被设置在扇出互连结构上方，并且与第一半导体管芯对准。第二垂直互连结构被设置在第二半导体管芯周围的扇出互连结构上方。多个半导体封装层被堆叠以形成堆叠封装。

使用管芯和先柱法的半导体器件及制造方法。一种半导体器件具有半导体管芯和邻近半导体管芯设置的导电柱。密封剂沉积在半导体管芯和导电柱上方。第一导电层直接形成在密封剂、导电柱和半导体管芯上。第二导电层直接形成在与第一导电层相对的密封剂、导电柱和半导体管芯上。