№ CN121335151A발명
유효基于β-GaO衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备
本申请属于半导体设备技术领域,具体涉及一种基于β‑GaO衬底的横向MOSFET器件及其制备方法、半导体设备。该横向MOSFET器件包括:衬底、轻掺杂区、第一重掺杂区和第二重掺杂区、第一金属层、第二金属层、栅介质层、栅极金属层。该横向MOSFET器件具有高开关比,强栅控能力的特点,且无需刻蚀、成本较低。
❖武汉大学; 湖北大学任峰; 韦林甫; 吴昊; 谯碧延; 曾志宇; 苏曦; 张蕾; 邓思邈§ 3/9 청구항H10D 30/60 (2025.01), H10D 30/01 (2025.01), H10D 62/17 (2025.01) +113