원래 이름 기록: 株式会社东芝; 东芝电子元件及存储装置株式会社

本发明的实施方式涉及磁盘装置。实施方式的磁盘装置具备：外壳，将基座、设置有第1贯通孔的内罩以及外罩按基座、内罩、外罩的顺序组合且气密封闭而成；磁盘，容纳于外壳内；第1干燥剂单元，以与基座分离且相对的方式设置于内罩；以及第2干燥剂单元，设置于外罩，以与基座分离且相对的方式经由设置于内罩的第1贯通孔插入至外壳的内部空间内。

本发明的实施方式涉及半导体装置。本实施方式所涉及的半导体装置具有：第1电极及第2电极，分别设置于半导体层的第1主面及第2主面；第1导电型的第1半导体区域；第1导电型的第2半导体区域，从第1半导体区域朝向第2电极延伸，具有上侧区域和下侧区域，该上侧区域具有比第1半导体区域高的杂质浓度，该下侧区域包含宽度比上侧区域窄的区域；第3电极，隔着绝缘区域而设置于半导体层内，沿与从第1电极朝向第2电极的第1方向正交的第2方向而与下侧区域并排；第1导电部，隔着第2半导体区域而与第3电极对置，与第2电极电连接，与下侧区域肖特基接触；以及第2导电部，与第2电极电连接，与上侧区域欧姆接触。

一种半导体装置包括第一电极、第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、栅电极和第二电极。该栅电极具有与第二半导体区域相对的第一区域和与第三半导体区域相对的第二区域。该栅电极具有从第二区域的下表面到上表面的第一长度和从第一区域的下表面到上表面的第二长度，并且第一长度大于第二长度。

一种半导体装置包括衬底、第一电极和第二电极。该半导体装置包括MOSFET，其具有作为漏极的第一电极和作为源极的第二电极。第一电极具有设置在第一主面上的层区域，以及在从第一电极到第二电极的第一方向上从第一主面延伸到衬底中的第一区域。第一电极的下表面向与第一方向相反的方向突出。

本实施方式涉及盘装置。根据一个实施方式，在盘装置中，控制器能够以磁道为单位进行按每个扇区的纠错。控制器一边用头向第1磁道写入数据，一边能够根据由第1管理信息确定的磁道余裕和第1磁道的偏离磁道量来预测第2磁道的错误扇区数达到纠正极限扇区数。第1磁道是多个磁道中的磁道。第1管理信息将磁道的识别信息以及磁道余裕关于多个磁道的每一个相关联。第2磁道是多个磁道中的与第1磁道相邻的磁道。控制器关于多个磁道的每一个，根据位错误率的基准值和从磁道读出的信息的位错误率来更新第1管理信息。

半导体装置具备：基板；氮化镓层，设置于基板的非极性面上，具有在与c轴方向平行的第一方向上位于相互分离的位置且在与第一方向正交的第二方向上延伸的多个鳍部；电子供给层，设置于鳍部的Ga面；基底电极，在第二方向上位于源极叉指部与漏极叉指部之间，在第一方向上与电子供给层对置；以及第一绝缘膜，设置于栅极电极与电子供给层之间。