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一种高选择比铜蚀刻液组合物及其应用

本发明涉及金属蚀刻液技术领域，具体的，涉及一种高选择比铜蚀刻液组合物及其应用。按重量百分比计，组分包括有机酸1‑5%、无机酸0.5‑4%、氟系化合物0.01‑0.5%、醇醚类稳定剂0.5‑3%、胺类稳定剂0.1‑1%、唑类抑制剂0.2‑2%、酰胺类合金蚀刻抑制剂0.01‑0.8%、双氧水3‑20%，去离子水补足余量。本发明在蚀刻液中引入含酰胺结构的酰胺类抑制剂，与唑类抑制剂、氟系化合物复配，在保证铜正常蚀刻速率的前提下，大幅降低合金层蚀刻速率，实现铜蚀刻与合金层保护的高选择性效果。

❖四川和晟达电子科技有限公司吴思程; 陈兆年; 李闯; 张红伟; 黄海东; 胡天齐Oct 16, 2026§ 2/10 청구항C23F 1/18 (2006.01)