拓荆科技（上海）有限公司

本发明公开了一种半导体管路测温装置及其测温方法、半导体薄膜设备，包括FBG测温光纤、光纤解调仪及主控单元，所述FBG测温光纤包括光纤本体和多个FBG光栅，多个所述FBG光栅沿所述光纤本体的长度方向间隔分布，所述光纤解调仪与所述FBG测温光纤的一端连接，用于发射光信号并采集每个所述FBG光栅的反射中心波长，所述主控单元与所述光纤解调仪连接，用于根据每个所述FBG光栅的反射中心波长解算得到对应位置的温度值。通过将多个测温光栅集成于单根光纤之上，以单根光纤实现多点位分布式温度监测，有效减少测温系统的线缆与接头数量，简化管路周边布线结构，提升设备可维护性，降低接头繁多带来的运行故障率，同时减少控制接口资源占用，提升测温可靠性。

本发明公开了一种工艺腔室和半导体加工设备。该工艺腔室包括真空腔体和环绕于所述真空腔体外部的射频线圈，所述工艺腔室还包括：法拉第屏蔽罩，位于所述真空腔体与所述射频线圈之间，所述法拉第屏蔽罩的罩壁设有轴向的异形通槽，其中，所述异形通槽靠近所述射频线圈的第一端的开口小于其远离所述射频线圈的第二端的开口。本发明能够在启辉阶段时向腔内提供足够的径向电场确保顺利启辉，同时还能在工艺阶段时抑制射频线圈附近的多余的径向电场外泄，从而不仅提高了腔内等离子体放电效率，还降低了等离子体对腔室内壁的腐蚀损伤。

本申请涉及一种等离子体处理设备、自由基浓度调节方法及应用，该等离子体处理设备包括：管体，所述管体用于容纳工艺气体并形成等离子体反应空间；屏蔽结构，所述屏蔽结构围绕所述管体设置；分体式线圈，所述分体式线圈围绕所述屏蔽结构设置，包括线圈主体、连接件和导电件，所述导电件、所述连接件和所述线圈主体依次电连接形成射频电流回路；所述连接件夹持所述线圈主体的位置可改变，以调节所述线圈主体相对于所述管体的径向位置；所述导电件与所述连接件沿所述管体轴向的相对位置可调节，以调节所述线圈主体沿所述管体轴向的位置。从而可以实现对自由基浓度的灵活调节，改善工艺表现。

本发明公开了一种设备前端模块、晶圆对准方法和半导体工艺设备。该设备前端模块包括：第一对准器和第二对准器；双臂机械手，包括关联解耦的第一臂和第二臂，用于在装载端口、第一对准器、第二对准器及后道模块之间搬运晶圆；以及控制器，被配置为：控制第一臂将第一晶圆放置于第一对准器上进行对准；在第一对准器的对准期间，控制第二臂将第二晶圆放置于第二对准器上进行对准；在第二对准器的对准期间，控制第一臂将对准完成后的第一晶圆取下并送至后道模块；以及控制第二臂将对准完成后的第二晶圆送至后道模块。本发明能够使两片晶圆的对准流程相互独立，优化传输节拍，提升设备WPH产能，并且提升晶圆调度灵活性与设备运行效率。