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색인된 특허 기록 2건

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本发明提供一种光电晶体管，所述光电晶体管包括基底、收光区、发射极作用区和发射极电极。其中，收光区设置在基底中。发射极作用区设置在收光区的中心区域中，使发射极作用区的轮廓边缘与收光区的轮廓边缘之间的距离最大化。发射极电极电性连接发射极作用区。

本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一基板、一半导体复合层及一金属电极结构。半导体复合层设置于基板上，金属电极结构设置于半导体复合层上，其包含一金属焊垫层、一金属阻挡层及一金属叠层。金属阻挡层具有一特定厚度用于阻挡金属叠层于一加热制程中突破金属阻挡层而扩散至金属焊垫层。

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원래 이름 기록: 台亚半导体股份有限公司