南昌硅基半导体科技有限公司

本发明涉及一种MOCVD加热器电阻发热丝质量检验方法及测量装置。该方法包括：在环境温度T下使用数字电桥测试仪测量电阻发热丝的电阻值或电感值，获得电阻或电感测量值；将电阻或电感测量值修正至参考温度20℃下的等效电阻值或等效电感值；计算理论电阻值或理论电感值；将等效电阻值与理论电阻值比较或将等效电感值与理论电感值比较确定相对偏差；根据相对偏差与预设阈值范围的比较结果评估发热丝质量。该测量装置包括数字电桥测试仪及第一和第二测试线，分别连接H端与发热丝一端、L端与发热丝另一端形成测试回路。本发明实现了对发热丝内部微观组织和绕制工艺缺陷的非破坏性、高精度、全长度量化评估，操作便捷，适用于批量快速筛查。

本发明公开了一种半导体设备自动化程序多策略任务调度方法及系统，其中方法包括：建立包含多种调度策略的候选调度策略集合；获取待调度任务，加入任务队列；获取待调度任务中的晶圆批次、工艺流程和任务参数；从候选调度策略集合中调用第一调度策略；基于第一调度策略和任务参数，对任务队列进行排序，确定执行优先级；获取候选设备的状态信息；从候选调度策略集合中调用第二调度策略；基于第二调度策略和候选设备的状态信息，为任务队列中的任务选择目标设备；将任务队列中的任务分配至对应的目标设备执行，并更新任务队列的状态信息。通过建立候选调度策略集合，后续能灵活调用调度策略，实现了调度策略的多元化与灵活配置,以满足生产需求。

本发明公开了一种氮化镓基半导体图形结构及其制备方法、光电器件，制备方法包括：提供衬底，衬底上形成有氮化镓基半导体层；形成覆盖氮化镓基半导体层的整个上表面的保护层；在保护层的上表面形成图形化的掩膜层；刻蚀保护层露出氮化镓基半导体层；刻蚀露出的氮化镓基半导体层；去除掩膜层，保留保护层，完成氮化镓基半导体图形结构的制备；其中，保护层与掩膜层的化学组分不同；保护层被配置为在后续工艺中形成分布式布拉格反射镜的层。通过引入保护层在整个制备过程中充当物理屏障，有效隔离化学试剂与高能等离子体，避免氮化镓基半导体遭受工艺损伤风险。且保留的保护层直接作为分布式布拉格反射镜的层，缩短了制造周期，降低了生产成本。