晶澳（扬州）太阳能科技有限公司

本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制备方法。该背接触异质结太阳能电池可包括：晶硅基体，背面包括交替排列的第一导电区和第二导电区；设置于第一导电区的n型载流子收集层，n型载流子收集层包括电极接触区和非电极接触区；设置于第二导电区的p型载流子收集层；至少设置于n型载流子收集层的电极接触区的外侧的金属硅化物过渡层，且金属硅化物过渡层未设置于p型载流子收集层的外侧；设置于第一导电区的透明导电膜层，透明导电膜层位于金属硅化物过渡层的外侧，且与金属硅化物过渡层接触，能够有效地降低背接触异质结太阳能电池的接触电阻。

本发明公开一种层压组件、层压工装和层压件。该层压组件至少包括：沿厚度方向依次层叠的前板玻璃、正面胶膜、电池串层、背面胶膜和背板玻璃；其中，前板玻璃包括：前板主体区域、以及位于前板主体区域边缘的至少部分区域的暴露区域；正面胶膜、电池串层、背面胶膜和背板玻璃设置于前板玻璃的前板主体区域上，且不覆盖前板玻璃的暴露区域。本发明实施例能够使层压组件叠层后对应区域漏出前板玻璃，搭配具备压制功能的层压工装，工装压制部件与前板玻璃的暴露区域抵接，能够防止暴露区域的前板玻璃受热翘曲，减缓或避免层压过程中产生边缘缺胶气泡和层压件厚度偏低，提高层压件制程良率和长期可靠性。

本发明公开一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池可包括：晶硅基体，晶硅基体包括相对的第一主表面和第二主表面，晶硅基体的第一主表面包括第一中间区域和围绕第一中间区域设置的第一边缘区域；设置于第一边缘区域的第一钝化层；设置于第一钝化层上的第一掺杂多晶硅层；靠近晶硅基体的第一中间区域的一侧的第一掺杂多晶硅层的厚度小于远离晶硅基体的第一中间区域的一侧的第一掺杂多晶硅层的厚度。在第一掺杂多晶硅层覆盖面积相同的情况下，由于靠近第一中间区域一侧的厚度较小，因此使得第一主表面上的第一掺杂多晶硅层整体对光线的寄生吸收降低。

本发明公开了光伏电池串和光伏组件，涉及光伏组件技术领域。该光伏电池串包括多个电池片、焊带、边缘汇流条和边缘绝缘条，边缘绝缘条包括第一透明基材层和第一光线阻挡层，第一透明基材层具有露出于电池片的第一暴露区域，第一暴露区域的受光面的至少一部分区域设置有第一光线阻挡层，第一光线阻挡层至少能够阻挡紫外线照射至第一透明基材层。该光伏电池串既能保证透光率和背面发电量，又能提升耐紫外线照射老化能力。