苏州山中泉科技有限公司

本发明公开了一种基于数字孪生的芯片封装热失效预测方法，涉及芯片封装技术领域，包括，解析芯片封装设计文件，建立封装热节点和热路径连接关系，并限定同族封装参数范围，生成热路径数字孪生初始体和封装参数范围表；采用封装参数范围表扩展热路径数字孪生初始体，构造初始封装数字孪生体集合，并经随机正交分解和克雷洛夫动态模态筛选，形成代表性封装数字孪生体；对代表性封装数字孪生体进行结区至散热边界的热传递推演，提取热点、层间温差、焊点热循环和主传递路径，生成封装热场序列。本发明通过候选失效单元温度场反演并与热异常残差的位置顺序、扩展方向和主传递路径进行比对，提高芯片封装热失效预测的结构定位能力和结果可解释性。