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压电振膜及其制备方法、采用该压电振膜的MEMS器件

本发明提供一种压电振膜及其制备方法、采用该压电振膜的MEMS器件，所述压电振膜包括基底以及依次设置在所述基底上的底电极、缓冲层、压电薄膜层以及顶电极，其特征在于，所述基底的参数满足如下条件中的至少一个：所述基底的杨氏模量小于硅的杨氏模量，所述基底的剪切模量小于硅的剪切模量，所述基底的断裂延伸率大于硅的断裂延伸率。本发明实施例提供的压电振膜中，所述基底为非硅基底，使得所述压电振膜抗机械载荷能力增大，并且基底作为从动层，无需大的驱动力即可引发振动，这使得所述压电振膜的振幅相较采用硅基底的压电振膜的振幅大，进而能够提高MEMS器件的性能。

❖昇澜半导体（常州）有限公司沈淑馨; 宋庆阳; 黄峰; 黄静龙§ 3/10 청구항H10N 30/20 (2023.01), H10N 30/85 (2023.01), H10N 30/07 (2023.01) +110

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