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本申请提供一种半导体启动装置及开关电源，涉及开关电源技术领域。该半导体启动装置包括集成设置在同一衬底上的二极管、启动绕组和启动晶体管；二极管的阳极连接半导体启动装置的漏极端，二极管的阴极在衬底的内部与启动晶体管的漏极端连接；启动绕组的一端与启动晶体管的漏极端连接，或位于衬底上，启动绕组的另一端与启动晶体管的栅极端连接；半导体启动装置的漏极端用于连接功率芯片中主功率管的漏极端，启动晶体管的栅极端和源极端分别用于连接功率芯片对应的控制芯片的控制端和启动端。本申请能够将二极管、启动绕组和启动晶体管集成设置在功率芯片的同一衬底上，无需占用控制芯片的面积，避免了控制芯片发生闩锁效应。

本申请提供一种功率器件及芯片，涉及集成电路设计技术领域。该功率器件，包括：设置在功率器件终端上的功率管、绕置在功率器件终端上的启动绕阻以及采样结构；启动绕阻的一端连接功率管的漏极、另一端连接功率管的栅极，启动绕阻在启动状态下作为启动电阻；采样结构连接功率管的栅极时，启动绕阻在采样状态下作为限流电阻，使得采样结构与启动绕阻构成分压结构，或者，采样结构连接功率管的漏极时，采样结构为分压采样结构，可以极大地降低采样功耗，此外，通过将功率管、启动绕阻以及采样结构均集成在功率器件终端上，可以提高集成度，节省面积。

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的半导体器件，包括衬底以及分别设置于衬底相对两侧的漏极金属和漂移层，漂移层包括主元胞区和采样区，主元胞区用于设置VDMOS，采样区设置采样场效应管以及隔离结构，隔离结构包括环绕在采样场效应管外周的环形P阱，其中，衬底为碳化硅衬底。本申请提供的半导体器件及其制备方法，能够提高主元胞与采样元胞之间的隔离效果。

本申请公开了一种反激系统中磁性元件短路保护装置、反激变换系统、芯片，该装置包括：电流采样模块以及检测保护模块；检测保护模块包括：采样信号处理电路、逻辑控制电路、驱动电路以及电压跟随电路；电流采样模块采样变压器的原边电流，得到采样电流；采样信号处理电路根据采样电流的大小输出控制信号至逻辑控制电路；逻辑控制电路输入PWM信号，输出开关控制信号至驱动电路，并输出分段时间至电压跟随电路；电压跟随电路根据分段时间输出跟随控制信号至驱动电路；驱动电路根据开关控制信号产生初级开关管的栅极驱动电压，并通过跟随控制信号控制驱动电压的大小。本申请方案可以实现对反激系统中变压器原边电流的短路保护。