北京赛微电子股份有限公司

本申请公开一种图形化工艺方法、芯片制备方法及芯片，图形化工艺方法包括：在待图形化膜层的一侧依次形成第一掩模薄膜和第一光刻胶层；利用第一掩模板对第一光刻胶层进行光刻，形成第一光刻图形结构；以第一光刻图形结构为掩模，对第一掩模薄膜进行刻蚀，得到第一掩模图形结构；在第一掩模图形背离待图形化膜层的一侧依次形成第二掩模薄膜和第二光刻胶层；利用第二掩模板对第二光刻胶层进行光刻，形成第二光刻图形结构；以第二光刻图形结构为掩模，对第二掩模薄膜进行刻蚀，得到第二掩模图形结构，第二掩模图形结构与第一掩模图形结构之间具有间隔区域；对间隔区域的待图形化膜层进行刻蚀；去除第一掩模图形结构和第二掩模图形结构。