№ CN121378644A발명
유효高性能抛光片用聚氨酯抛光层材料及其制备方法
本发明公开的高性能抛光片用聚氨酯抛光层材料及其制备方法,由以下重量份数的原料制备而成:六亚甲基二异氰酸酯的三聚体100~150份、聚醚多元醇150~200份、扩链剂50~60份、发泡剂2~3份、磨料添加剂80~100份、催化剂5~10份;聚氨酯抛光层的制备分三步进行:第一步、异氰酸酯预聚物的制备,第二步、抛光片前驱体的制备,第三步、抛光层的制备。本发明实现了高硬度、高耐磨且结构稳定的半导体芯片加工用聚氨酯抛光片抛光层的制备,有望为当下半导体芯片的加工提供新的抛光材料。
❖陕西聚合优威新材料科技有限公司欧阳丽; 巫云龙; 王明; 刘亚丽§ 1/9 청구항C08G 18/66 (2006.01), C08G 18/48 (2006.01), C08G 18/10 (2006.01) +1010