№ CN122925258A발명
알 수 없음缓存处理方法、电子设备、存储介质及产品
本公开提供了缓存处理方法、电子设备、存储介质及产品,属于计算机技术领域。该方法包括:响应于多级缓存架构的目标层级缓存区未命中数据访问请求的目标数据,从目标层级缓存区的下级存储中获取目标数据;多级缓存架构包括多层级缓存区,每个层级的缓存区中包括多个缓存组,每个缓存组中包括多个缓存行,除第一层级之外的其它层级中的每个缓存行对应有重引用预测值以及上级缓存有效标记;在目标层级缓存区不满足存储条件的情况下,根据目标层级缓存区中每个缓存行的上级缓存有效标记以及当前重引用预测值,从目标层级缓存区中确定出待替换缓存行;将目标数据写入待替换缓存行,以替换待替换缓存行中原数据,可以提升目标层级缓存区的命中率。
❖北京砺睿微电子科技有限公司王康飞Oct 16, 2026§ 4/12 청구항G06F 12/0811 (2016.01), G06F 9/50 (2006.01)