원래 이름 기록: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司; 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

一种测试结构、测试结构的测试方法，其中测试结构包括：至少2个测试阵列单元，每个测试阵列单元中具有不同数量的晶体管；所有测试阵列单元中的晶体管的栅极、源极和衬底电连接；每个测试阵列单元中的晶体管的漏极电连接。通过设置多个测试阵列单元，且将所有测试阵列单元中的晶体管的栅极、源极和衬底电连接，以保证在对不同测试阵列单元进行量测时，引入的其他路径漏电流值接近，进而在后续计算过程中，能够将引入的其他路径漏电流值进行相互抵消，以此提升单个晶体管漏电流的计算精度。另外更多的测试阵列单元设置，有利于排除部分测试阵列单元异常漏电流带来的影响，以此提升单个晶体管漏电流的计算精度。