특허 출원인 기록

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通快激光股份公司

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№ CN122935849A발명
알 수 없음

产生EUV发光等离子体的EUV驱动激光器、使涂覆有光敏涂层的半导体衬底曝光于EUV光的设施和用于产生组合的激发光束的方法

本发明涉及用于产生靶材的等离子体(14)的EUV驱动激光器(10),该等离子体发射EUV光(12),该EUV驱动激光器包括:第一射束源(16),该第一射束源设置为用于产生具有第一波长的第一激发光束(20),以及第二射束源(18),该第二射束源设置为用于产生具有第二波长的第二激发光束(22)。EUV驱动激光器(10)具有第一泵浦源和第二泵浦源(24,26),所述第一泵浦源和所述第二泵浦源设置为用于向两个射束源(16,18)相应地供应泵浦能量,以使得两个激发光束(20,22)各自通过转换对应的泵浦能量而无散射地产生。此外,EUV驱动激光器(10)具有第一放大器装置(28)和第二放大器装置(30),该第一放大器装置和该第二放大器装置各自具有放大器单元(32),所述放大器单元具有至少一个光学放大器(34),其中,光学放大器(34.i)设置为用于相应地放大两个激发光束(20,22)以形成放大的激发光束(36,38)。根据本发明,EUV驱动激光器(10)具有:组合单元(42),该组合单元设置为用于将放大的激发光束(36,38)进行组合,以形成组合的激发光束(40);以及聚焦单元(43),该聚焦单元设置为用于将组合的激发光束(40)聚焦到靶材(14)上。此外,根据本发明,第一激发光束和第二激发光束(20,22)和/或两个放大的激发光束(36,38)具有1600 nm至2300 nm的范围内的不同的波长。

❖通快激光系统半导体制造股份公司; 通快激光股份公司F·里普卡; A·莱尔希; J·布伦内; G·克劳斯; S-S·沙德; C·加伊达; T·艾达姆; K·阿尔贝斯Oct 16, 2026§ 10/14 청구항H01S 3/23 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01), H01S 3/16 (2006.01) +132