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一种半导体装置，包含：芯片，其由宽带隙半导体形成，并具有形成了第一导电型的半导体区的主面；第二导电型的基底杂质区，其形成于所述半导体区的表层部；第一杂质区，其形成于所述基底杂质区的表层部；以及第二杂质区，其形成于所述基底杂质区的表层部，且导电型与所述第一杂质区相反，所述第二杂质区在第一方向上与所述第一杂质区相邻，所述第二杂质区形成为在与所述第一方向正交的第二方向上延伸的带状，所述第二杂质区具有：凸部，其在所述第一方向上选择性地向所述第一杂质区突出。

本发明的电子装置具备基板、电子元件、柱状部以及密封树脂。所述基板具有：绝缘层，其具有在厚度方向上朝向第一侧的绝缘层主面以及绝缘层背面；以及导电部，其从所述绝缘层主面及所述绝缘层背面露出。所述电子元件具有：元件主体，其包含在所述厚度方向上与所述绝缘层主面对置的元件主面；以及多个电极，其配置于所述元件主面。所述多个电极与所述导电部电接合。所述柱状部在所述厚度方向上从所述导电部向所述厚度方向的所述第一侧突出，且具有导电性。所述密封树脂覆盖所述绝缘层主面、所述电子元件及所述柱状部。

半导体装置具备：半导体元件；以及第一端子，其位于所述半导体元件的第一方向的一侧，并且与所述半导体元件导通。在所述第一方向上，在所述半导体元件与所述第一端子之间设置有第一流通路。所述半导体元件与所述第一流通路相接。作为一例，所述半导体装置还具备与所述半导体元件和所述第一端子导通的第一导通部件。所述第一导通部件收纳于所述第一流通路。