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用于超临界清洗的复合清洗液和碳化硅衬底的清洗方法

本发明涉及碳化硅衬底清洗技术领域，具体而言，涉及用于超临界清洗的复合清洗液和碳化硅衬底的清洗方法。复合清洗液由scCO、共溶剂、金属离子螯合剂和表面活性改性剂组成；其中，金属离子螯合剂选自Y(acac)、La(acac)和Zr‑EDTA中的至少一种；表面活性改性剂选自PFPE和FAP；金属离子螯合剂的用量和表面活性改性剂的用量依次为复合清洗液质量的0.05wt%‑0.3wt%和0.1wt%‑2wt%。在超临界清洗时采用该复合清洗液能够高效去除抛光后的碳化硅衬底上残留的金刚石磨粒、二氧化硅颗粒和有机残留，同时，不会增加碳化硅晶体的损伤，还能实现超疏水改性，便于后续的光刻工艺。

❖通威微电子有限公司钟皎月; 王军§ 2/10 청구항C11D 3/12 (2006.01), C11D 3/43 (2006.01), C11D 3/20 (2006.01) +410

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