원래 이름 기록: 深圳真茂佳半导体有限公司

本申请提及一种耗尽型场效应晶体管元胞结构及制备方法，该结构包括具有外延层的衬底，外延层表面延伸形成有耗尽沟道注入层在外延层内，外延层表面定义有中心区域及外围区域。外围区域下方延伸形成有阱区在耗尽沟道注入层中，耗尽沟道注入层及阱区的表面延伸形成有源极注入层在耗尽沟道注入层及阱区中。在中心区域下方形成有沟槽，沟槽贯穿源极注入层及耗尽沟道注入层并延伸至外延层，沟槽的侧壁与阱区之间留存有耗尽沟道注入层以形成耗尽沟道，耗尽沟道的厚度为0.1‑2um，沟槽底面延伸形成有栅氧保护结在外延层中，沟槽内设有栅极。本申请具有通过精准的控制工艺形成的特定厚度的耗尽沟道及形成的栅氧保护结能够优化栅极附近的电场的效果。