半导体器件及其制备方法
本申请公开了一种半导体器件及其制备方法,半导体器件包括衬底、外延层、阱区、源区、第一绝缘层以及第一电极层;外延层设置于衬底沿厚度方向的一侧;阱区位于外延层内,源区位于阱区内;第一绝缘层设置于外延层背向衬底的一侧;第一电极层设置于第一绝缘层背向衬底的一侧,第一电极层包括汇集部以及至少两个分支部,各分支部连接于汇集部的同一侧,沿汇集部的延伸方向,分支部在衬底上的正投影与源区在衬底上的正投影交错设置;其中,阱区包括沿分支部延伸方向设置的第一子区和第二子区,第一子区在衬底上的正投影与第二子区在衬底上的正投影不交叠,汇集部在衬底上的正投影落入第一子区在衬底上的正投影范围内。