원래 이름 기록: 亿威盛半导体科技（上海）有限公司

本发明提供了一种基于超临界CO的半导体碳化硅零部件的清洗方法及设备，通过预处理、预热、纳米颗粒注入、主清洗、污染物分离以及后处理，有效去除了半导体碳化硅零部件上的污染物，同时，对超临界的废液进行收集和分离，实现CO的循环利用；超临界CO流体兼具气体扩散性和液体溶解力，可渗入间隙小于0.1μm孔隙内，同时结合按照斐波那契螺旋线分布的喷孔，能够有效去除污染物，且不会损伤碳化硅零部件的表面，避免造成零部件表面粗糙度增大；通过设置三级分子筛串联系统，能够实现对超临界废液的分级分离，充分去除超临界废液中的污染物，回收CO，实现实现CO的循环利用。